四探針測(cè)試儀在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用
發(fā)布時(shí)間： 2021-04-16 10:57:24 點(diǎn)擊： 1720
四探針測(cè)試儀在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用
材料分類：
目前我們比較熟悉的薄膜半導(dǎo)體材料主要有以下這些：根據(jù)材料本身的用途和性質(zhì)劃分
覆蓋膜;導(dǎo)電高分子膜，高、低溫電熱膜;
隔熱、導(dǎo)電窗膜 導(dǎo)電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;
金屬化標(biāo)簽、合金類箔膜;熔煉、燒結(jié)、濺射、涂覆、涂布層，電阻式、電容式觸屏薄膜;
導(dǎo)電薄膜（ITO導(dǎo)電膜玻璃等），金屬膜，導(dǎo)電漆膜，蒸發(fā)鋁膜，PCB銅箔膜，EMI涂層等物質(zhì)的薄層
四探針測(cè)試儀材料特點(diǎn)：
測(cè)試方法：
目前采用4探針?lè)▉?lái)測(cè)薄膜材料的電導(dǎo)率性質(zhì)，這是比較認(rèn)可且成熟的測(cè)試方法；
1.將儀器開(kāi)啟，并用標(biāo)準(zhǔn)電阻法校準(zhǔn)儀器，確定儀器是否正常.
2.設(shè)定好薄膜的厚度，探針間距、電壓根據(jù)需要選擇高，中，低檔位；選擇探頭形狀；方形還是直線形探針.
3.確定好后，連接好測(cè)試探頭，通過(guò)上下微調(diào)節(jié)探頭平臺(tái)，使探針與樣品接觸，
4.待數(shù)據(jù)穩(wěn)定后讀取數(shù)據(jù)，方阻值，電阻率，電導(dǎo)率數(shù)據(jù).
5.測(cè)試完畢后，清理并整理儀器恢復(fù)開(kāi)啟前狀態(tài).
6.下圖FT-341 四探針測(cè)試儀結(jié)構(gòu)說(shuō)明，
材料分類：
目前我們比較熟悉的薄膜半導(dǎo)體材料主要有以下這些：根據(jù)材料本身的用途和性質(zhì)劃分
覆蓋膜;導(dǎo)電高分子膜，高、低溫電熱膜;
隔熱、導(dǎo)電窗膜 導(dǎo)電(屏蔽)布、裝飾膜、裝飾紙;
金屬化標(biāo)簽、合金類箔膜;熔煉、燒結(jié)、濺射、涂覆、涂布層，電阻式、電容式觸屏薄膜;
導(dǎo)電薄膜（ITO導(dǎo)電膜玻璃等），金屬膜，導(dǎo)電漆膜，蒸發(fā)鋁膜，PCB銅箔膜，EMI涂層等物質(zhì)的薄層
四探針測(cè)試儀材料特點(diǎn)：
靠電子和空穴兩種載流子實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電，室溫時(shí)電阻率一般在10-5～107歐·米之間。通常電阻率隨溫度升高而變化；若摻入活性雜質(zhì)或用光、射線輻照，可使其電阻率有幾個(gè)數(shù)量級(jí)的變化
測(cè)試方法：
目前采用4探針?lè)▉?lái)測(cè)薄膜材料的電導(dǎo)率性質(zhì)，這是比較認(rèn)可且成熟的測(cè)試方法；
與傳統(tǒng)的四端法相比，四探針?lè)ń鉀Q了測(cè)試過(guò)程中存在的接觸電阻問(wèn)題，也就是說(shuō)，四根探針同時(shí)接觸于樣品表面對(duì)樣品進(jìn)行電流和電壓激勵(lì)測(cè)試；消除接觸電阻，是一種進(jìn)步的測(cè)試方法，應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)比較多.
1.將儀器開(kāi)啟，并用標(biāo)準(zhǔn)電阻法校準(zhǔn)儀器，確定儀器是否正常.
2.設(shè)定好薄膜的厚度，探針間距、電壓根據(jù)需要選擇高，中，低檔位；選擇探頭形狀；方形還是直線形探針.
3.確定好后，連接好測(cè)試探頭，通過(guò)上下微調(diào)節(jié)探頭平臺(tái)，使探針與樣品接觸，
4.待數(shù)據(jù)穩(wěn)定后讀取數(shù)據(jù)，方阻值，電阻率，電導(dǎo)率數(shù)據(jù).
5.測(cè)試完畢后，清理并整理儀器恢復(fù)開(kāi)啟前狀態(tài).
6.下圖FT-341 四探針測(cè)試儀結(jié)構(gòu)說(shuō)明，
配合PC軟件分析數(shù)據(jù)
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